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        秦皇島本征晶體科技有限公司 晶體原料制備、晶體生長、元件初加工、精加工、鍍膜和器件產業鏈閉環
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        氟化鋰透鏡材料

        產品簡介

            氟化鋰是四方晶系,晶體長成時可以為單多晶的料塊或是定向生長的單晶體。所以氟化鋰也有單晶及多晶的區別。多晶多用來作為保護窗口;單晶可以透鏡,棱鏡及觀察窗。晶體最常用方向為100方向,也有用111方向的。

            本征晶體提供氟化鋰透鏡毛坯,平凸透鏡,棱鏡和非球面。采用的工藝為PITECH 拋光和DTM相結合。

        加工形狀:

            圓形,矩形,開孔,彎月,楔角,平凸,平凹,雙凸,雙凹,開球,棱鏡。

        定制基本參數:

        直徑范圍3mm-150mm厚度范圍2mm-100mm
        晶體類型單晶光潔度40-20,60-40
        直徑公差+0.0/0.1厚度公差±0.1
        等級紫外


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        產品型號產品介紹加工設備技術解答

        產品簡介單晶LiF-CN -多晶LiF-CN -

        材料數據LiF 材料數據-CN-

        產品展示

        13


        生長車間生長車間13文字切割1130銑磨車間4拋光車間標題2222444鍍膜車間標題114非球車間12干涉儀34

        氟化鋰介紹 

        氟化鋰介紹:

            LiF晶體是一種優良的光學晶體材料 ,具有較寬的透射波段 (110 ~ 6, 600 nm)和較高的透過率 ,特別需要指出的是 LiF晶體在真空紫外波段的透過率是已知材料中最高的,因而被用作紫外波段的窗口材料。在紅外波段 LiF晶體的折射率最小,因而常被用作紅外激光、紅外夜視儀的窗口材料。

        氟化鋰

            通過 LiF晶體著色可獲得色心比較穩定、均勻的 LiF色心激光晶體, 其具有很好的光譜特性, 是最有前途的飛秒脈沖激光器和近紅外可調諧激光器。 LiF晶體還是電子探針、熒光分析儀和大型光學儀器中不可缺少的分光晶體元件。

            真空紫外(VacuumUltraviolet,簡稱 VUV)是指電磁波譜區在 10 ~ 200 nm的紫外波段 ,源于空氣對該波段有強烈的吸收作用而只能在真空條件下使用 。在激光和光刻技術中 ,深紫外 (DeepUltraviolet,簡稱 DUV)指紫外線中低于 300 nm的波段。

            隨著人們對真空紫外波段理論和應用研究的日益深入, 科學實驗和工業發展對深紫外激光器、真空紫外光源、真空紫外探測器和相應真空紫外光學體系的需求日益廣泛, 對氟化物等光學晶體提出了更高的要求,如光學均勻性更好、物理和化學穩定性高 、機械性能和熱性能好、生長尺寸更大等;而透過率高、截止波段短的 LiF晶體成為研究真空紫外波段優良的備選材料。

            LiF晶體結構屬立方晶系 Fm3m空間群, 密度 2.635 g/cm3, 熔點 1115 K, 解離面為 (100)面 ,分子量為25.939,晶格常數 0.40279 nm, 莫氏硬度為 3。比較 LiF、MgF2 、CaF2常見物理性能 , LiF物理性能的差異導致其在生長加工過程中存在很大差異。

            例如, 在不同溫度下, LiF的熱導率不同, 這就要求在生長過程中控制降溫速率 、制定合適的降溫曲線以防止熱應力聚集影響晶體質量 ;LiF硬度較 MgF2 、CaF2 低, 故加工時更容易引起變形, 表面拋光時更容易由于偶然因素引起劃痕甚至開裂;雖然 LiF晶體的比熱大約是 MgF2 、CaF2 的 1.5倍 ,但其線性熱膨脹系數遠大于MgF2 、CaF2,故加工過程中應嚴格保持外部溫度穩定以避免開裂 。

        化學性質

            LiF在 18 ℃水中的溶解度為 0.27 g/100 g水, 易溶于硝酸和高氯酸等強酸 ,可與液態氟化氫反應生成LiHF2 ,不溶于酒精 。由于 LiF的溶解度遠大于 MgF2 、CaF2 (分別為 0.0076 g/100 g水 、0.0017 g/100 g水 ),故在晶體生長、加工、儲存和運輸過程中應嚴格保持干燥以防止潮解。

        光學性能

            LiF晶體對電磁波的透過波長范圍為 110 ~ 6600 nm, 在其透過范圍內 ,晶體有較高的透過率。

            在 110 ~ 10, 000 nm范圍內 LiF晶體的射率 n與波長 λ的關系 (色散公式)如下所示。

            n2 =1 +0.92549λ2/(λ2 -0.73762 )+6.96747λ2/(λ2 -32.792)

        LiF晶體生長

            LiF晶體生長一般采用熔體法 ,主要采用坩堝下降法(Bridgman-stockbarger法)、提拉法(Czocharalski法)進行生長。

            真空紫外 /深紫外光學技術發展給LiF晶體帶來了新的機遇和挑戰。隨著行業的發展和技術的進步,LiF晶體原料制備、晶體生長、加工工藝在原有技術工藝的基礎上都得到了極大改進 。

        氟化鋰晶體加工難點 :

            1)氟化鋰是一種相對較軟,易碎,對溫度突變敏感的材料,因此,在加工時需要做一些特殊的預防措施。 

            2)氟化鋰的硬度取決于晶體的排列,其在加工過程中易引起材料方向的轉移。 

            3)氟化鋰相對于玻璃有較高的熱膨脹性和易碎性。即使在加工前、加工過程中和加工后,很小的溫度變化都易沿著解離面碎裂,零件的幾何形狀會影響解理:很薄的和大口徑的部分易解離。 

            4)氟化鋰材料易解理、易潮解、材料的穩定性差的物理特性,在銑磨、精磨、拋光、磨邊等工序容易出現劃傷、破邊、開裂等現象,導致加工過程各工序的廢品率高,面形、光潔度、中心偏、粗糙度等技術指標難控制。

        加工工藝過程

            1)氟化鋰晶體存在(100)解理面,在外力作用下易沿解理面成片脫落和破損,除了應注意解離面(100)和加工面的相互位置,還應注意銑磨時壓力過大容易導致零件出現炸裂、解理等。降低銑磨壓力,從而避免銑磨過程中壓力過大出現炸裂、破損、解理現象。

            2)大尺寸的幾何形狀的零件,預先打磨邊緣,使邊緣倒邊處有足夠余量,避免零件在加工中邊緣鋒利破損,起到很好的保護作用。

            3)砂輪具有較好的自銳性,避免磨削時砂輪高速運轉對零件產生較深的刀痕印跡,確保充足連續供應的冷卻液(不能中斷)。 

            4)研磨磨料磨具:金剛石砂輪或樹脂砂輪,使用砂輪粒度為60~80 ?m,以避免劃痕。

        精磨控制 

            1)推薦金剛砂預磨粒度28~40 μm,后道精磨料14~20 μm。

            2)手工精磨時控制砂水的濃度,零件在研磨過程中砂不能磨干。 

            3)手工研磨時施加力不能過大,必須均勻下尺寸和修改等厚偏差。

        拋光控制

        氟化鋰材料在加工過程特別注意: 

            1)只能用低熔點的瀝青粘接。

            2)使用熱絕緣物體如纖維材料、木制材料等,緩慢升溫(不能使用銅版、鋁板直接升溫)。 

            3)不能將氟化鋰零件直接放在鋁板或電爐上升溫,也不能將零件用火焰烤,避免任何過熱或過冷沖擊。 

            4)不能將溫熱的零件直接放在冷的模塊瀝青中(稍后會出現微裂縫)。 

            5)模具和零件預熱板上一起加熱,然后在無氣流的環境中緩慢降溫,在零件達到室溫之后再繼續加工。 

            6)拋光模預拋使用硬度1.0#模塊瀝青,精拋使用1.2#模塊瀝青,緩慢地加熱零件到手溫。然后將零件放在纖維素材料的支持物上。將點狀模塊瀝青置于溫度為手溫的承載框架上,將零件按壓其上,然后冷卻至室溫。 

            7)使用拋光粉粒度為1 μm、0.5 μm或0.2 μm的金剛石磨料懸浮液。 

            8)拋光模的制作:拋光模預先開槽平分120°角,便于拋光過程中的熱量釋放,避免局部溫度高。這樣不但使拋光液通暢達到被拋零件的每個部位,又能使拋光過程產生熱量迅速流通釋放,從而使拋光質量穩定

        光學定心磨邊 

            1)首先應用40 ?m砂粒的倒斜角,然后用180#~240#的砂輪進行磨邊。

            2)零件放在加熱板上預熱最高40℃~50℃,然后再預熱磨邊接頭,將預熱好的零件粘結在磨邊接頭上,零件自然恒溫20~30 min。 

            3)零件在加工過程中進刀余量約為0.02 mm。 

            4)磨邊完成后用30~40 μm的金剛砂保護性倒邊

        加工過程中注意事項

            1)不能用木錘敲打模具上的零件和直接取下。 

            2)做好零件流轉過程的防護,盡量隔絕空氣,停留時間不要超過10~15 min。 

            3)保持工作場所干凈,工房環境溫度控制在24℃±2℃,濕度≤40%。 

            4)確保無氣流的環境,防止空氣中的水蒸氣與元件膜層永久損傷。 

            5)不能用手觸摸零件表面,因手上的汗液會對零件表面造成永久的腐蝕。 

            6)加工好的零件做好防護包裝(真空包裝或干燥箱儲存)。

        光學材料定義

            單晶(monocrystal, monocrystalline, single crystal):結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列,或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成,整個晶體中質點在空間的排列為長程有序。

            多晶(polycrystal, polycrystalline):是眾多取向晶粒的單晶的集合。多晶與單晶內部均以點陣式的周期性結構為其基礎,對同一品種晶體來說,兩者本質相同。

            晶界(grain boundary):晶界是結構相同而取向不同晶粒之間的界面。在晶界面上,原子排列從一個取向過渡到另一個取向,故晶界處原子排列處于過渡狀態。 晶粒與晶粒之間的接觸界面叫做晶界。在表觀中可在光線下進行觀測,晶界兩邊的晶粒表面反射光線不同,其中的分界線即為晶界

            孿晶(twin crystal):是指兩個晶體(或一個晶體的兩部分)沿一個公共晶面(即特定取向關系)構成鏡面對稱的位向關系,這兩個晶體就稱為"孿晶",此公共晶面就稱孿晶面

            位錯(dislocation):又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。

            亞結構(substructure):是一種嵌鑲結構,泛指晶體內部的錯位排列和分布;特指晶體劃分為取向差不大(從秒到度數量級)的亞晶粒,其晶粒間界可以歸結為錯位的行列或網絡(見位錯)。它們都是與超結構或調制結構相對而言的,其晶胞此時稱為亞晶胞(subcell)。

            包裹(inclusions):晶體材料中與晶體材料不同的物質為包裹。包裹包括晶體中的雜質和氣泡,在表觀中可以通過裸眼在光線下觀測到。

            內部透過率(internal transmittance):是指晶體在某個波長下,去除本征吸收、前后表面反射,晶體光透過的情況。

            光學均勻性(optical homogeneity):是指同一塊晶體中,各部分折射率變化的不均勻程度。

            應力雙折射(stress birefringence):光學材料中由于殘余應力的存在而引入的雙折射現象稱為應力雙折射,應力雙折射用單位長度上的光程差來度量。應力雙折射又稱光彈性效應。

            熒光(fluorescence):又作“螢光”,是指一種光致發光的冷發光現象。當某種常溫物質經某種波長的入射光(通常是紫外線或X射線)照射,吸收光能后進入激發態,并且立即退激發并發出比入射光的波長長的出射光(通常波長在可見光波段)。

        氟化鋰分級

        深紫外等級(DUV Grade)

            應用波長:110nm - 6.0μm

            單晶多晶:單晶

            透射率:>70%@140nm; >90%@280nm; >90%@5μm (10mm厚樣品)

            內部透過率:>99.0% @ 280nm(10mm厚樣品)

            平均應力雙折射:小于10nm/cm@633nm

            包裹:25-125mW以上綠光檢驗無肉眼可見光柱、氣泡、散射顆粒等

        單多晶性質比較

        區別

        晶體對比

        本證材料測試

        透過率檢測

        檢驗設備:

            1.島津3600plus紫外可見分光光度計/UV-1801紫外可見分光光度計/NICOLET TN10傅里葉紅外顯微鏡

            2.全自動應力儀PTC-9

            3.激光筆(綠光,功率25-125mW)

        樣品:氟化鋰晶體,直徑不小于20 ~ 50mm,厚度10±0.5mm,通光面拋光光潔度達到80/50

        測試波段:190nm~1100nm,2.5μm~12μm

        合格要求:T>92%@280nm

        氟化鋰紫外-可見-近紅外透過率曲線

        曲線1

        氟化鋰晶體紅外透過率曲線

        曲線2


        生長過程

        氟化物晶體生長:

            氟化物晶體生長主要采用坩堝下降法和提拉法兩種。坩堝下降法生長氟化物晶體首先將氟化物原料投入坩堝并放置到真空下降爐內,通過電阻加熱的方式對產品進行加熱,溫度升至高于原料熔點10~20℃,然后通過控制晶體爐下降機構,以1~5mm的速率勻速下降坩堝使其通過爐內溫度梯度區,將至梯度區以下的原料冷卻實現氟化物晶體的生長,余料可以再利用,晶體生長過程中爐體冷卻采用循環水冷的方法帶走熱量實現冷卻,生產工藝流程見圖

        晶體生長

            提拉法晶體生長過程分熔化、引晶放肩、等徑生長、拉脫幾個過程。首先將原料裝入干凈的石墨坩堝中,放入提拉爐內爐體中心,然后加溫至原料熔化,待熔化后恒溫2小時以上確保溫度平衡,將預熱后的籽晶下入熔體內1~2mm,進行引晶,然后進入放肩過程,放肩達到尺寸要求后,進入直拉(等徑生長)階段,全部過程采用電子秤自動稱重控制,晶體生長過程結束后,將晶體快速提起到離液面5mm處,然后以均勻降溫速率降至室溫,生產工藝流程見圖。

        提拉

        元件加工

        毛坯加工

            將生長出來的晶體進行研磨,根據研磨質量不同要求選用不同顆粒的細沙進行研磨,去除表面不均勻部分,根據產品尺寸要求在切割機上進行切割,切割完成后在水浴鍋中進行融蠟粘接(水浴鍋采用電加熱,加熱溫度60℃,用融化后的石蠟的粘性粘接切割后的晶體,因只需把石蠟由固態加熱至液態即可,固無廢氣產生),融蠟粘接完成后按照客戶要求尺寸進行晶體滾圓,滾圓后進行水解(用水對石蠟進行溶解),水解完成后進行清洗,倒邊,檢驗合格后為成品,不合格回到晶體切割工序再利用。

        切割

        拋光加工:

            晶體毛坯通過銑磨機進行銑磨,銑磨過程中產生廢水,銑磨后再精磨,精磨過程中采用金剛砂進行精磨,精磨完成后進行拋光,拋光完成后進行定心割邊,定心割邊完成后進行清洗檢驗,清洗采用無水乙醇清洗擦拭(擦拭在擦拭臺進行,無水乙醇用量極少,無需封閉集氣處理。檢驗合格后為成品

        拋光加工

        精磨拋光

        (1)細磨精磨:

            1清洗模具:用洗衣粉清洗模具,以免上邊殘留的磨料劃傷工件。

            2適當調整碾磨機的轉速,待磨輪轉動均勻后,開始磨修。

            3細磨精磨的方法:

            (a)磨平面時,先將工件輕輕放在磨輪上,然后輕輕加力并與磨輪轉動方向呈反方向運動,運動軌跡最好成橢圓型,每磨固定圈數后,將工件自身旋轉一定的角度,繼續磨修。將工件放在磨輪中間可以磨修邊緣,放在磨輪邊緣可以磨修工件中間。注意不要用力過大,否則可能會使工件飛出或者造成劃痕。

            (b)磨凸面時,方法與平面基本相同,當工件沿外緣轉動時可以磨修中間,當工件在中間轉動時可以磨修邊緣。

            (c)當工件磨修差不多的時候,可以停止磨修,洗凈工件,用六倍放大鏡觀察表面紋路,是否有劃痕和沙眼,如果有繼續修磨。

            (d)若表面合格,使用刀口尺觀察平面的平整度,觀察合格的標準為平面中心有一條頭發絲細的亮線。

            4細磨使用302#的沙,精磨使用303、304的沙。

            5由細磨轉為精磨的過程中,模具必需用洗衣粉清洗干凈。

            6六倍放大鏡和刀口尺的使用方法:

            六倍放大鏡應在100W的白熾燈光下使用,使用時應遠離工件10cm左右,看工件時工件應該斜對著燈光,邊觀察邊慢慢旋轉工件。使用刀口尺時,工件表面要確保干燥,要仰視工件就與刀口尺的結合部,使用刀口尺觀察兩次,兩次角度應垂直。

        (2)拋光(古典法):

        古典

            1上盤:用瀝青剛性上盤,上盤完后清洗拋光面。

            2調整好機床轉速、擺幅,準備好熱水、拋光液。

            3預熱拋光模:將拋光模在50~60度的熱水中燙一下,使拋光模軟化。

            4在拋光模上涂上拋光液,覆蓋在鏡盤上,用手推幾下,使之吻合。放上鐵筆,開動機床,開始拋光。邊拋光邊添加拋光液。

            5拋光約15分鐘后,取下工件,用洗衣粉洗凈拋光面,用六倍放大鏡觀察表面疵病。在已拋光面上滴一滴乙醚與酒精的混合液,用紗布擦凈,用同樣的方法處理標準工件,然后使兩者貼合在燈光下觀察光圈。

            6光圈的識別和修改:

            低光圈:加壓,空氣減少,光圈縮小,光圈顏色為藍、紅、黃

            高光圈:加壓,空氣減少,光圈外擴,光圈顏色為黃、紅、藍

            工件在上:低光圈,工件往里收,多拋邊沿;高光圈,工件往外拉,多拋中心。

            工件在下:低光圈,往外拉,多拋邊緣;高光圈,往里收,多拋中心。

            7下盤,用汽油洗掉瀝青,再上盤,拋另一面。注意已拋面應涂上保護漆,用酒精洗掉保護漆。

            8兩面都拋光合格后,清洗工件。清洗工作臺,拋光結束。

            9拋光的目的:

            (a)去掉表面的破壞層,達到規定的粗糙度。

            (b)精修面形,達到圖紙要求的面形。

            (c)為以后的特種工藝如鍍膜,膠合工序創造條件。

        定心磨邊

        機械法定心:

            1定心原理:

            機械法定心是將透鏡放在一對同軸精度高、端面精確垂直于軸線的接頭之間,利用彈簧壓力夾緊透鏡,根據力的平衡來實現定心。其中一個接頭可以轉動,另一個既能轉動又能沿軸向移動。

            2操作自動定心磨邊機:

            打開電源,先開水泵,然后開砂輪。

            接著根據零件的尺寸調節前邊的定位千分尺,調節后邊的千分尺對刀,聽到細微的摩擦聲即對刀完成,再將千分尺向后擰一些,然后再次調節前邊的千分尺,調節至目標尺寸。然后即可按下自動操作鍵,磨邊機會自動完成定心磨邊


        產品合規性

        氣泡和條紋-微觀的:

            所有晶體和玻璃材料,沒有完美的材料,都會有細小的氣泡或是條紋;這個在國標中有規定。ICC的符合國標。

            需要注意的是,有些氣泡和條紋,在棒材階段是監測不出來的,切片也看不出,只有精密拋光后,在有經驗的檢驗員或是精密檢測儀器下,才能看到。

        包裹物,散射顆粒:

            晶體材料里面有可見白點,星星點點,用激光筆照射候,發光。這些是絕對不合格品的表現。

        顏色:

            顏色多是材料在清洗過程中,酸堿配比不一致;亮度不一致,多為晶體方向或是晶體結構不同,譬如111方向可能不如100方向更亮或是透一些。

        晶體定向

        晶體定向知識-為何晶體要定向

            晶體結構即晶體的微觀結構,是指晶體中實際質點(原子、離子或分子)的具體排列情況。自然界存在的固態物質可分為晶體和非晶體兩大類,固態的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的最本質差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質點是規則排列的(長程序),而非晶體中這些質點除與其最相近外,基本上無規則地堆積在一起(短程序)。金屬及合金在大多數情況下都以結晶狀態使用。晶體結構是決定固態金屬的物理、化學和力學性能的基本因素之一。

        圖片1

        晶系

            已知晶體形態超過四萬種,它們都是按七種結晶模式發育生長,即七大晶系。晶體是以三維方向發育的幾何體,為了表示三維空間,分別用三、四根假想的軸通過晶體的長、寬、高中心,這幾根軸的交角、長短不同而構成七種不同對稱、不同外觀的晶系模式:等軸晶系,四方晶系,三方晶系,六方晶系,斜方晶系,單斜晶系,三斜晶系。

        圖片2

        晶面

            晶面指數(indices of crystal face)是晶體的常數之一,是晶面在3個結晶軸上的截距系數的倒數比,當化為整數比后,所得出的3個整數稱為該晶面的米勒指數(Miller index)。六方和三方晶系晶體當選取4個結晶軸時,一個晶面便有4個截距系數,由它們的倒數比所得出的4個整數則稱為晶面的米勒—布拉維指數(Miller Bravais indices)。以上兩種指數一般通稱為晶面指數

            在晶體中,原子的排列構成了許多不同方位的晶面,故要用晶面指數來分別表示這些晶面。晶面指數的確定方法如下:

            1.對晶胞作晶軸X、Y、Z,以晶胞的邊長作為晶軸上的單位長度;

            2.求出待定晶面在三個晶軸上的截距(如該晶面與某軸平行,則截距為∞)

            3.取這些截距數的倒數,例如 110,111,112等;

            4.將上述倒數化為最小的簡單整數,并加上圓括號,即表示該晶面的指數,一般記為(hkl),例如(110),(111),(112)等。

        晶面

        晶向

            晶向是指晶體的一個基本特點是具有方向性,沿晶格的不同方向晶體性質不同。布拉維點陣的格點可以看成分列在一系列相互平行的直線系上,這些直線系稱為晶列。同一個格點可以形成方向不同的晶列,每一個晶列定義了一個方向,稱為晶向。

            標志晶向的這組數稱為為晶向指數。

            由于晶體具有對稱性,有對稱性聯系著的那些晶向可以方向不同,但它們的周期卻相同,因而是等效的,這些等效晶向的全體可用尖括號< α β γ >來表示。對于立方系,晶向[100]、[010]、[001]及其相反晶向就可以用<100>表示,其它晶系不適用。

            立方晶系的晶向指數可用[uvw]來表示。其確定步驟為:

            (1)選定晶胞的某一陣點為原點,以晶胞的3條棱邊為坐標軸,以棱邊的長度為單位長度;

            (2)若所求晶向未通過坐標原點,則過原點作一平行于所求晶向的有向直線;

            (3)求出該有向直線上距原點最近的一個陣點的坐標值u、v和w;

            (4)將三個坐標值按比例化為最小整數,依次放入方括號[]內,即為所求晶向指數

        晶向

        波段劃分

        可見光 

            指能引起視覺的電磁波??梢姽獾牟ㄩL范圍在0.77~0.39微米之間。波長不同的電磁波,引起人眼的顏色感覺不同。0.77~0.622微米,感覺為紅色;0.622~0.597微米,橙色;0.597~0.577微米,黃色;0.577~0.492微米,綠色;0.492~0.455微米,藍靛色;0.455~0.39微米,紫色。 

        紅外光譜(infrared spectra)

            指以波長或波數為橫坐標以強度或其他隨波長變化的性質為縱坐標所得到的反映紅外射線與物質相互作用的譜圖。按紅外射線的波長范圍,可粗略地分為近紅外光譜(波段為0.8~2.5微米)、中紅外光譜(2.5~25微米)和遠紅外光譜(25~1000微米)。對物質自發發射或受激發射的紅外射線進行分光,可得到紅外發射光譜,物質的紅外發射光譜主要決定于物質的溫度和化學組成;對被物質所吸收的紅外射線進行分光,可得到紅外吸收光譜。每種分子都有由其組成和結構決定的獨有的紅外吸收光譜,它是一種分子光譜。分子的紅外吸收光譜屬于帶狀光譜。原子也有紅外發射和吸收光譜,但都是線狀光譜。 

        截圖20220708125613

        紫外光譜 

            紫外光譜是分子中某些價電子吸收了一定波長的電磁波,由低能級躍近到高能級而產生的一種光譜,也稱之為電子光譜。目前使用的紫外光譜儀波長范圍是200~800nm。其基本原理是用不同波長的近紫外光(200~400nm)依次照一定濃度的被測樣品溶液時,就會發現部分波長的光被吸收。如果以波長λ為橫坐標(單位nm),吸收度 (absorbance)A為縱坐標作圖,即得到紫外光譜(ultra violet spectra,簡稱UV)。

        截圖20220708125446

        常見問題

        應力圖

        為什么我購買的晶體應力很大?

            綜合因素(原材料純度不夠,晶體工藝不成熟,晶體設備有問題,晶體監測不到位,晶體切割過于粗糙,晶體沒有采用消應力工序)

        晶體應力會影響什么?

            熱應力過大,溫度劇烈變化會裂開;機械應力過大,鏡片倒邊或是割邊或破損;應力越大,材料的均勻性相對越不好,光圈很難做好,投射波前也做不好。同時鏡片的,折射率也會有細微差別。

        如何測量晶體應力? 

            典型的是通過應力儀器,把鏡片表面進行拋光,設置好通光口徑,通過計算光程差,得到應力數值。

        應力可以消除么?

            應力消除僅是相對概念;熱應力往往可以通過長時間的放置達到自然釋放,同時在后續的切割研磨和拋光中也會逐步釋放。熱應力晶體切割中釋放最為充分,從實際看,只要切割不裂開,基本后面的研磨和拋光均不會開裂,但滾圓產生的機械和熱應力短時間內并不會消除,所以大多數鏡片在邊緣部分光圈都不好且有通過口徑的要求。


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